合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于发光二管（LED）、激光二管（LD）以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
砷化镓多晶料性能指标 | ||
原料纯度 | 6N 及以上 | |
导电类型 | N 型 | |
迁移率（cm2/V＆#8226;s） | 2500~3500 | |
载流子浓度（cm-3） | 1.0×1016~1.0×1017 | |
产品外观 | D 字形 | |
尺寸 | 约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长 | |
北京特博万德科技有限公司
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